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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体光増幅素子及び脈波計測装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009049280A, 申请日期: 2009-03-05, 公开日期: 2009-03-05 作者:  松田 京子;  奥村 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3653169B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25 作者:  奥村 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000252589A, 申请日期: 2000-09-14, 公开日期: 2000-09-14 作者:  奥村 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子および光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000223789A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11 作者:  奥村 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3080643B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28 作者:  厚主 文弘;  猪口 和彦;  奥村 敏之;  滝口 治久   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999340573A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10 作者:  奥村 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999087850A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  近江 晋;  奥村 敏之;  猪口 和彦   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998303505A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13 作者:  奥村 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化ガリウム系半導体発光素子、及び半導体レーザ光源装置 专利  OAI收割 专利号: JP1998256657A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25 作者:  奥村 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997232686A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05 作者:  奥村 敏之;  友村 好隆   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13