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机构
西安光学精密机械研... [14]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
专利 [14]
发表日期
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [6]
1999 [3]
1998 [1]
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半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置
专利
OAI收割
专利号: JP2003133648A, 申请日期: 2003-05-09, 公开日期: 2003-05-09
作者:
粂 雅博
;
木戸口 勲
;
伴 雄三郎
;
宮永 良子
;
鈴木 政勝
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2002305348A, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-10-18
作者:
菅原 岳
;
木戸口 勲
;
宮永 良子
;
鈴木 政勝
;
粂 雅博
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置
专利
OAI收割
专利号: JP2001223428A, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-08-17
作者:
菅原 岳
;
木戸口 勲
;
宮永 良子
;
鈴木 政勝
;
粂 雅博
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提交时间:2019/12/31
半導體雷射元件
专利
OAI收割
专利号: TW413972B, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2000-12-01
作者:
上山智
;
木戶口勳
;
伴雄三郎
;
長谷川義晃
;
宮永良子
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提交时间:2019/12/26
半導体素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000332357A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30
作者:
木戸口 勲
;
宮永 良子
;
菅原 岳
;
鈴木 政勝
;
粂 雅博
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提交时间:2020/01/13
半導体レ—ザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000077795A, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14
作者:
粂 雅博
;
伴 雄三郎
;
服藤 憲司
;
木戸口 勲
;
上山 智
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000068599A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者:
粂 雅博
;
伴 雄三郎
;
木戸口 勲
;
上山 智
;
辻村 歩
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2000058965A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:
粂 雅博
;
木戸口 勲
;
伴 雄三郎
;
上山 智
;
辻村 歩
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提交时间:2020/01/18
半導体レ—ザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2000012982A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
作者:
粂 雅博
;
宮永 良子
;
木戸口 勲
;
伴 雄三郎
;
辻村 歩
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999186646A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
作者:
宮永 良子
;
上山 智
;
吉井 重雄
;
佐々井 洋一
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提交时间:2020/01/18