机构

• 西安光学精密机械研... [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 专利 [11]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [2]
• 1999 [2]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30 作者:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1237578C, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18 作者:  小林俊雅;  簗克典;  山口恭司;  中岛博   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 氮基半导体激光器件和其生产方法 专利  OAI收割 专利号: CN1457539A, 申请日期: 2003-11-19, 公开日期: 2003-11-19 作者:  山口恭司;  小林高志;  小林俊雅;  喜岛悟;  富冈聪   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子の封止構造 专利  OAI收割 专利号: JP3277736B2, 申请日期: 2002-02-15, 公开日期: 2002-04-22 作者:  根本 和彦;  松田 修;  小林 俊雅;  土居 正人   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3277711B2, 申请日期: 2002-02-15, 公开日期: 2002-04-22 作者:  丸谷 幸利;  小林 俊雅;  近藤 憲治;  根本 和彦;  樋口 慶信   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底 专利  OAI收割 专利号: CN1231533A, 申请日期: 1999-10-13, 公开日期: 1999-10-13 作者:  小林俊雅;  东条刚   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999126947A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11 作者:  小林 俊雅;  宮嶋 孝夫;  小沢 正文   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998144989A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29 作者:  小林 俊雅   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子のパッケージ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996186326A, 申请日期: 1996-07-16, 公开日期: 1996-07-16 作者:  根本 和彦;  松田 修;  小林 俊雅;  土居 正人   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 マルチビームレーザとこれを用いたレーザビームプリンタ 专利  OAI收割 专利号: JP1995211989A, 申请日期: 1995-08-11, 公开日期: 1995-08-11 作者:  小林 俊雅;  松田 修   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31