中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2016 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2000 [1]
1998 [2]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
半导体器件
专利
OAI收割
专利号: CN105896310A, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2016-08-24
作者:
小林隆二
;
小林正英
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半导体激光器及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN100459332C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04
作者:
小林隆二
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半导体发光元件
专利
OAI收割
专利号: CN101223679A, 申请日期: 2008-07-16, 公开日期: 2008-07-16
作者:
小林隆二
;
菅生繁男
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2007080934A, 申请日期: 2007-03-29, 公开日期: 2007-03-29
作者:
小林 隆二
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000031596A, 申请日期: 2000-01-28, 公开日期: 2000-01-28
作者:
小林 隆二
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/01/13
低しきい値半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1998335736A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者:
小林 隆二
;
堀田 等
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2020/01/18
埋め込みリッジ型半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998190144A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
作者:
小林 隆二
;
多田 健太郎
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2020/01/18
自励発振型半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997199789A, 申请日期: 1997-07-31, 公开日期: 1997-07-31
作者:
小林 隆二
;
堀田 等
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2669401B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
作者:
小林 隆二
;
堀田 等
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2020/01/18