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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 3族窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3717255B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16 作者:  永井 誠二;  山崎 史郎;  小池 正好;  冨田 一義;  加地 徹   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 专利  OAI收割 专利号: CN1633700A, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29 作者:  小池正好;  手钱雄太;  平松敏夫;  永井诚二   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18 制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN1413358A, 申请日期: 2003-04-23, 公开日期: 2003-04-23 作者:  小池正好;  小岛彰;  平松敏夫;  手钱雄太   |  收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2020/01/18 制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN1413357A, 申请日期: 2003-04-23, 公开日期: 2003-04-23 作者:  小池正好;  手钱雄太;  平松敏夫   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP1999266058A, 申请日期: 1999-09-28, 公开日期: 1999-09-28 作者:  山崎 史郎;  小池 正好   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1999177185A, 申请日期: 1999-07-02, 公开日期: 1999-07-02 作者:  小池 正好;  手銭 雄太;  永井 誠二;  湧口 光雄   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999145566A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者:  小池 正好;  山崎 史郎;  手銭 雄太   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999135832A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21 作者:  小出 典克;  小池 正好;  加藤 久喜   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999126949A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11 作者:  小池 正好;  永井 誠二   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 3族窒化物半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999026812A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  小池 正好   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30