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• 西安光学精密机械研... [14]

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• 专利 [14]

发表日期

• 2005 [1]
• 2003 [2]
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• 1996 [3]
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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3678769B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03 作者:  小沢 正文;  中山 典一;  日野 智公   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3470476B2, 申请日期: 2003-09-12, 公开日期: 2003-11-25 作者:  小沢 正文;  樋江井 太   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 集積素子 专利  OAI收割 专利号: JP2003017717A, 申请日期: 2003-01-17, 公开日期: 2003-01-17 作者:  小沢 正文;  山内 淨;  谷口 正   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999126947A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11 作者:  小林 俊雅;  宮嶋 孝夫;  小沢 正文   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 III-V族化合物半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998125655A, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-05-15 作者:  小沢 正文   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998022586A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23 作者:  小沢 正文;  中村 文彦;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997246655A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19 作者:  玉村 好司;  小沢 正文   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997167879A, 申请日期: 1997-06-24, 公开日期: 1997-06-24 作者:  東條 剛;  小沢 正文;  池田 昌夫   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997121073A, 申请日期: 1997-05-06, 公开日期: 1997-05-06 作者:  冨谷 茂隆;  小沢 正文;  伊藤 哲;  池田 昌夫   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 II-VI族化合物半導体成長用基板 专利  OAI收割 专利号: JP1996124854A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17 作者:  小沢 正文   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31