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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体发光元件 专利  OAI收割 专利号: CN101904064A, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2010-12-01 作者:  尺田幸男   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009117543A, 申请日期: 2009-05-28, 公开日期: 2009-05-28 作者:  尺田 幸男   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子およびその製法 专利  OAI收割 专利号: JP3713124B2, 申请日期: 2005-08-26, 公开日期: 2005-11-02 作者:  筒井 毅;  中田 俊次;  尺田 幸男;  園部 雅之;  伊藤 範和   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3432912B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-08-04 作者:  田中 治夫;  尺田 幸男   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3432910B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-08-04 作者:  尺田 幸男   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子の製法 专利  OAI收割 专利号: JP3325713B2, 申请日期: 2002-07-05, 公开日期: 2002-09-17 作者:  尺田 幸男   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子およびその製法 专利  OAI收割 专利号: JP2000307185A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02 作者:  松本 幸生;  尺田 幸男;  中田 俊次   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999274656A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08 作者:  尺田 幸男   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999274655A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08 作者:  尺田 幸男   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子およびその製法 专利  OAI收割 专利号: JP1998321903A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04 作者:  松本 幸生;  中田 俊次;  尺田 幸男   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13