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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07 作者:  山下文雄;  伊藤茂稔;  山本秀一郎;  川上俊之   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP3034688B2, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-04-17 作者:  河野 敏弘;  魚見 和久;  山下 茂雄;  岡 聡彦;  菊池 悟   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24 作者:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2685499B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-03 作者:  山下 茂雄;  河野 敏弘;  梶村 俊   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2656482B2, 申请日期: 1997-05-30, 公开日期: 1997-09-24 作者:  吉沢 みすず;  山下 茂雄;  大石 昭夫;  梶村 俊   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995111360A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25 作者:  山下 茂雄;  依田 亮吉;  加藤 佳秋;  佐々木 真二;  苅田 秀孝   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995111361A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25 作者:  山下 茂雄;  加藤 佳秋;  佐々木 真二;  依田 亮吉;  苅田 秀孝   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザとその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993226772A, 申请日期: 1993-09-03, 公开日期: 1993-09-03 作者:  岡 聡彦;  山下 茂雄;  黒田 崇郎;  小野 佑一   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1993090695A, 申请日期: 1993-04-09, 公开日期: 1993-04-09 作者:  山下 茂雄;  黒田 崇郎;  岡 聡彦;  小野 佑一   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザとその製法 专利  OAI收割 专利号: JP1993090694A, 申请日期: 1993-04-09, 公开日期: 1993-04-09 作者:  岡 聡彦;  黒田 崇郎;  山下 茂雄;  佐々木 義光;  河野 敏弘   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18