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半導体光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999204879A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者:  山内 義則;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
変調器集積化半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999087839A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  中村 幸治;  山内 義則;  大柴 小枝子;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999040897A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
作者:  大柴 小枝子;  山内 義則;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体光デバイスの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998209568A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者:  堀川 英明;  中村 幸治;  山内 義則;  大柴 小枝子
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998206808A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者:  大柴 小枝子;  中村 幸治;  山内 義則
  |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/01/18
埋め込み型半導体レーザの埋め込み層形成用マスクおよびこれを用いた埋め込み型半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997181388A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11
作者:  山内 義則;  大柴 小枝子;  中村 幸治;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体デバイス及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997045999A, 申请日期: 1997-02-14, 公开日期: 1997-02-14
作者:  堀川 英明;  山内 義則;  後藤 修;  八重樫 浩樹
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1997043555A, 申请日期: 1997-02-14, 公开日期: 1997-02-14
作者:  大柴 小枝子;  中村 幸治;  山内 義則
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997036484A, 申请日期: 1997-02-07, 公开日期: 1997-02-07
作者:  山内 義則;  堀川 英明;  中村 幸治;  中島 徹人
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18
リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997027656A, 申请日期: 1997-01-28, 公开日期: 1997-01-28
作者:  山内 義則;  堀川 英明;  後藤 修;  八重樫 浩樹
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