机构

• 西安光学精密机械研... [15]

采集方式

• OAI收割 [15]

内容类型

• 专利 [15]

发表日期

• 1999 [3]
• 1998 [2]
• 1997 [6]
• 1996 [4]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 半導体光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999204879A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30 作者:  山内 義則;  堀川 英明   |  收藏  |   変調器集積化半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999087839A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  中村 幸治;  山内 義則;  大柴 小枝子;  堀川 英明   |  收藏  |   半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999040897A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12 作者:  大柴 小枝子;  山内 義則;  堀川 英明   |  收藏  |   半導体光デバイスの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998209568A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07 作者:  堀川 英明;  中村 幸治;  山内 義則;  大柴 小枝子   |  收藏  |   半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1998206808A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07 作者:  大柴 小枝子;  中村 幸治;  山内 義則   |  收藏  |   埋め込み型半導体レーザの埋め込み層形成用マスクおよびこれを用いた埋め込み型半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997181388A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11 作者:  山内 義則;  大柴 小枝子;  中村 幸治;  堀川 英明   |  收藏  |   半導体デバイス及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997045999A, 申请日期: 1997-02-14, 公开日期: 1997-02-14 作者:  堀川 英明;  山内 義則;  後藤 修;  八重樫 浩樹   |  收藏  |   半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1997043555A, 申请日期: 1997-02-14, 公开日期: 1997-02-14 作者:  大柴 小枝子;  中村 幸治;  山内 義則   |  收藏  |   半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997036484A, 申请日期: 1997-02-07, 公开日期: 1997-02-07 作者:  山内 義則;  堀川 英明;  中村 幸治;  中島 徹人   |  收藏  |   リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997027656A, 申请日期: 1997-01-28, 公开日期: 1997-01-28 作者:  山内 義則;  堀川 英明;  後藤 修;  八重樫 浩樹   |  收藏  |