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Electron-ion collider in China 期刊论文  OAI收割
FRONTIERS OF PHYSICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 78
作者:  
Anderle, Daniele P.;  Bertone, Valerio;  Cao, Xu;  Chang, Lei;  Chang, Ningbo
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一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者:  
崔虎山;  项金娟;  贺晓彬;  杨涛;  李俊峰
  |  收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2019/03/26
半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者:  
王桂磊;  崔虎山;  殷华湘;  李俊峰;  朱慧珑
  |  收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2019/03/26
In-memory Direct Processing based on Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions 期刊论文  OAI收割
Nanoscale, 2018
作者:  
Wei JQ(魏家琦);  Cui HS(崔虎山);  He XB(贺晓彬);  Li JJ(李俊杰);  Zhao C(赵超)
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Low-Temperature Performance of Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double MgO-Interface Free Layer 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Magnetics, 2018
作者:  
Wang LZ(王乐知);  Hu YP(胡艳鹏);  Jiang QF(姜齐风);  Cui HS(崔虎山);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载:48/0  |  提交时间:2019/05/20
一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410008441.6, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-07-08
作者:  
杨涛;  卢一泓;  张月;  崔虎山;  李俊峰
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/03/21
一种沟道替换工艺的监测方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410409029.5, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2016-02-24
作者:  
崔虎山;  卢一泓;  赵超;  李俊峰;  杨涛
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/03/21
半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210473969.1, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-06-04
作者:  
钟汇才;  崔虎山;  赵超
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2019/03/14
半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210475191.8, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-06-04
作者:  
崔虎山;  钟汇才;  赵超
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/03/14
一种硅深孔刻蚀方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者:  
赵超;  李俊杰;  孟令款;  李春龙;  洪培真
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/03/14