机构

• 西安光学精密机械研... [49]

采集方式

• OAI收割 [49]

内容类型

• 专利 [49]

发表日期

• 2008 [4]
• 2007 [6]
• 2006 [2]
• 2003 [2]
• 2001 [3]
• 2000 [3]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共49条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4179424B2, 申请日期: 2008-09-05, 公开日期: 2008-11-12 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物基化合物半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN100388518C, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2008-05-14 作者:  幡俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP4083866B2, 申请日期: 2008-02-22, 公开日期: 2008-04-30 作者:  幡 俊雄;  伊藤 茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100364119C, 申请日期: 2008-01-23, 公开日期: 2008-01-23 作者:  幡俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3988961B2, 申请日期: 2007-07-27, 公开日期: 2007-10-10 作者:  幡 俊雄;  猪口 和彦   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3963233B2, 申请日期: 2007-06-01, 公开日期: 2007-08-22 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3957359B2, 申请日期: 2007-05-18, 公开日期: 2007-08-15 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体発光素子の製造方法および化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2007116201A, 申请日期: 2007-05-10, 公开日期: 2007-05-10 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3927646B2, 申请日期: 2007-03-09, 公开日期: 2007-06-13 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光器件、其结构单元及制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1925177A, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2007-03-07 作者:  幡俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：144/0  |  提交时间：2020/01/18