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• 西安光学精密机械研... [17]

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• 专利 [17]

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• 2013 [1]
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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN102035137B, 申请日期: 2013-01-09, 公开日期: 2013-01-09 作者:  仓持尚叔;  日野智公;  平田达司郎;  吉田雄太   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13 多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 专利  OAI收割 专利号: CN100376064C, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2008-03-19 作者:  东条刚;  矢吹义文;  安斋信一;  日野智公;  后藤修   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30 作者:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 多光束半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14 作者:  东条刚;  日野智公;  后藤修;  矢吹义文;  安斋信一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28 作者:  日野智公;  浅野竹春;  朝妻庸纪;  喜嶋悟;  船户健次   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1203598C, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2005-05-25 作者:  冨谷茂隆;  日野智公   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3678769B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03 作者:  小沢 正文;  中山 典一;  日野 智公   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2004179209A, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24 作者:  日野 智公;  成井 啓修;  御友 重吾;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25 作者:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999204889A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30 作者:  塚本 弘範;  谷口 理;  牧野 桜子;  日野 智公;  船戸 健次   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13