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机构
西安光学精密机械研... [14]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
专利 [14]
发表日期
2006 [1]
2004 [1]
2001 [1]
1997 [3]
1996 [7]
1995 [1]
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スタック型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3814950B2, 申请日期: 2006-06-16, 公开日期: 2006-08-30
作者:
後藤 吉孝
;
木村 裕治
;
渥美 欣也
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3606933B2, 申请日期: 2004-10-15, 公开日期: 2005-01-05
作者:
安部 克則
;
木村 裕治
;
渥美 欣也
;
上野 祥樹
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3240794B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
作者:
安部 克則
;
木村 裕治
;
渥美 欣也
;
上野 祥樹
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997148666A, 申请日期: 1997-06-06, 公开日期: 1997-06-06
作者:
金森 勝彦
;
木村 裕治
;
高木 守
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子組立て装置
专利
OAI收割
专利号: JP1997074244A, 申请日期: 1997-03-18, 公开日期: 1997-03-18
作者:
木村 裕治
;
渥美 欣也
;
奥村 充男
;
元田 信男
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提交时间:2019/12/30
半導体素子組付け装置
专利
OAI收割
专利号: JP1997069532A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:
柳澤 好伸
;
木村 裕治
;
元田 信男
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提交时间:2019/12/30
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1996125281A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
作者:
安部 克則
;
渥美 欣也
;
木村 裕治
;
松下 規由起
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提交时间:2020/01/13
積層型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1996125270A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
作者:
松下 規由起
;
渥美 欣也
;
木村 裕治
;
安部 克則
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提交时间:2019/12/30
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1996125266A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
作者:
安部 克則
;
渥美 欣也
;
木村 裕治
;
松下 規由起
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996097496A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12
作者:
高木 守
;
金森 勝彦
;
木村 裕治
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提交时间:2020/01/13