机构

• 西安光学精密机械研... [16]

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• OAI收割 [16]

内容类型

• 专利 [16]

发表日期

• 2005 [3]
• 1999 [1]
• 1998 [5]
• 1997 [1]
• 1996 [1]
• 1995 [4]
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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 複合光デバイスの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3752369B2, 申请日期: 2005-12-16, 公开日期: 2006-03-08 作者:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3718952B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24 作者:  門脇 朋子;  木村 達也;  多田 仁史;  藤原 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3665911B2, 申请日期: 2005-04-15, 公开日期: 2005-06-29 作者:  木村 達也;  石田 多華生;  鈴木 大輔   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999220209A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10 作者:  瀧口 透;  木村 達也   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998335756A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18 作者:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透   |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ,およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998209556A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07 作者:  木村 達也;  小野 健一;  竹見 政義;  宮下 宗治   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998190145A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21 作者:  竹見 政義;  木村 達也   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1998022579A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23 作者:  鈴木 大輔;  木村 達也   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置,及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998012958A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16 作者:  唐木田 昇市;  早藤 紀生;  木村 達也;  宮下 宗治;  杵築 弘隆   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 リッジ型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997307182A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28 作者:  木村 達也   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31