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窒化物系半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000068557A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者:  
杉浦 理砂
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
窒化物系半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999150296A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者:  
杉浦 理砂;  藤本 英俊
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
窒化物系半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999074622A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者:  
杉浦 理砂;  石川 正行
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13
窒化物系半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999074621A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者:  
杉浦 理砂;  石川 正行
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
窒化物化合物半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998294531A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
作者:  
藤 本 英 俊;  ジョン レニー;  山 本 雅 裕;  石 川 正 行;  布 上 真 也
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/30
積層体のへき開方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998107380A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
作者:  
杉浦 理砂;  板谷 和彦
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
窒化物系化合物半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998065212A, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-03-06
作者:  
杉浦 理砂;  藤本 英俊
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
窒化物系半導体を用いた半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998065270A, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-03-06
作者:  
藤本 英俊;  西尾 譲司;  杉浦 理砂
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/30
半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997232629A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
作者:  
杉浦 理砂
  |  收藏  |  浏览/下载:115/0  |  提交时间:2020/01/13