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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2000 [1]
1999 [3]
1998 [4]
1997 [1]
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共9条,第1-9条
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窒化物系半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP2000068557A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者:
杉浦 理砂
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提交时间:2020/01/13
窒化物系半導体素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999150296A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者:
杉浦 理砂
;
藤本 英俊
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提交时间:2019/12/31
窒化物系半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999074622A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者:
杉浦 理砂
;
石川 正行
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提交时间:2020/01/13
窒化物系半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999074621A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者:
杉浦 理砂
;
石川 正行
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提交时间:2020/01/13
窒化物化合物半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998294531A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
作者:
藤 本 英 俊
;
ジョン レニー
;
山 本 雅 裕
;
石 川 正 行
;
布 上 真 也
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提交时间:2019/12/30
積層体のへき開方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998107380A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
作者:
杉浦 理砂
;
板谷 和彦
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提交时间:2019/12/31
窒化物系化合物半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998065212A, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-03-06
作者:
杉浦 理砂
;
藤本 英俊
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提交时间:2019/12/31
窒化物系半導体を用いた半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998065270A, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-03-06
作者:
藤本 英俊
;
西尾 譲司
;
杉浦 理砂
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提交时间:2019/12/30
半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP1997232629A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
作者:
杉浦 理砂
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提交时间:2020/01/13