机构

• 西安光学精密机械研... [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 专利 [10]

发表日期

• 2005 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]
• 1997 [4]
• 1993 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 III族窒化物半導体薄膜の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3707211B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19 作者:  大井 明彦;  鈴木 健;  松井 俊之;  松山 秀昭;  上條 洋   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 III族窒化物半導体およびその製造方法、およびIII族窒化物半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000174393A, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-06-23 作者:  松井 俊之   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999121800A, 申请日期: 1999-04-30, 公开日期: 1999-04-30 作者:  鈴木 健;  松井 俊之;  大井 明彦;  松山 秀昭;  上條 洋   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18 III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999112107A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23 作者:  鈴木 健;  松井 俊之;  大井 明彦;  松山 秀昭;  上條 洋   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2721274B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-03-04 作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2717016B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18 作者:  細羽 弘之;  関 章憲;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2706369B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-28 作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 III族窒化物半導体およびpn接合ダイオードの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997260290A, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1997-10-03 作者:  松山 秀昭;  松井 俊之;  鈴木 健;  北村 祥司;  上條 洋   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993095159A, 申请日期: 1993-04-16, 公开日期: 1993-04-16 作者:  細羽 弘之;  近藤 雅文;  幡 俊雄;  兼岩 進治;  大林 健   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993063306A, 申请日期: 1993-03-12, 公开日期: 1993-03-12 作者:  幡 俊雄;  兼岩 進治;  細羽 弘之;  近藤 雅文;  須山 尚宏   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/18