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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP4284126B2, 申请日期: 2009-03-27, 公开日期: 2009-06-24 作者:  和田 一彦;  森本 泰司;  宮嵜 啓介;  上田 禎亮;  辰巳 正毅   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4146153B2, 申请日期: 2008-06-27, 公开日期: 2008-09-03 作者:  宮嵜 啓介;  和田 一彦;  森本 泰司   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/23 半导体激光器装置及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN1241306C, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08 作者:  森本泰司;  宫崎启介;  辰巳正毅;  和田一彦;  上田祯亮   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN1705178A, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2005-12-07 作者:  和田一彦;  宫嵜启介;  森本泰司;  辰巳正毅;  上田祯亮   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器设备及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1501557A, 申请日期: 2004-06-02, 公开日期: 2004-06-02 作者:  上田祯亮;  宫嵜启介;  和田一彦;  辰巳正毅;  森本泰司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光器及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1455483A, 申请日期: 2003-11-12, 公开日期: 2003-11-12 作者:  宫嵜启介;  和田一彦;  森本泰司   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 光/電子ハイブリッド実装基板およびその製造方法ならびに光/電子ハイブリッド集積回路 专利  OAI收割 专利号: JP3204355B2, 申请日期: 2001-06-29, 公开日期: 2001-09-04 作者:  山田 泰文;  美野 真司;  照井 博;  吉野 薫;  加藤 邦治   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3197034B2, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-08-13 作者:  森本 泰司   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3142634B2, 申请日期: 2000-12-22, 公开日期: 2001-03-07 作者:  森本 泰司;  石住 隆司   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31 作者:  河西 秀典;  森本 泰司;  兼岩 進治;  林 寛;  宮内 伸幸   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/23