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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 采用带有光检测部分的面发光半导体激光器的传感器 专利  OAI收割 专利号: CN1197213C, 申请日期: 2005-04-13, 公开日期: 2005-04-13 作者:  森克己;  近藤贵幸;  金子丈夫   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17 作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3395194B2, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-04-07 作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17 作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3211459B2, 申请日期: 2001-07-19, 公开日期: 2001-09-25 作者:  森 克己;  近藤 貴幸   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3206097B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-04 作者:  森 克己   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3206080B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-04 作者:  森 克己   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 成膜方法和半导体激光器制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1065046C, 申请日期: 2001-04-25, 公开日期: 2001-04-25 作者:  近藤贵幸;  森克己;  金子丈夫   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 薄膜光回路素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999261161A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24 作者:  金子 丈夫;  森 克己   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999046036A, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16 作者:  森 克己;  金子 丈夫;  近藤 貴幸   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13