机构

• 西安光学精密机械研... [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 专利 [10]

发表日期

• 2003 [1]
• 1997 [3]
• 1995 [1]
• 1994 [3]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3470476B2, 申请日期: 2003-09-12, 公开日期: 2003-11-25 作者:  小沢 正文;  樋江井 太   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997331101A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22 作者:  樋江井 太   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997331114A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22 作者:  樋江井 太;  玉村 好司   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997162500A, 申请日期: 1997-06-20, 公开日期: 1997-06-20 作者:  塚本 弘範;  樋江井 太   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 II-VI族化合物半導体の成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995273054A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20 作者:  石橋 晃   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 II-VI族化合物半導体及びその形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994326138A, 申请日期: 1994-11-25, 公开日期: 1994-11-25 作者:  樋江井 太;  伊藤 哲;  秋本 克洋   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体表示装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994244506A, 申请日期: 1994-09-02, 公开日期: 1994-09-02 作者:  伊藤 哲;  樋江井 太;  石橋 晃   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザー 专利  OAI收割 专利号: JP1994061580A, 申请日期: 1994-03-04, 公开日期: 1994-03-04 作者:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  宮嶋 孝夫;  小沢 正文;  森永 優子   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 II-VI族半導体素子の製法 专利  OAI收割 专利号: JP1995099211A, 公开日期: 1995-04-11 作者:  樋江井 太;  池田 昌夫;  松元 理   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 III-V 族半導体基板表面の処理方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996045843A, 公开日期: 1996-02-16 作者:  伊藤 哲;  樋江井 太;  野口 裕泰;  石橋 晃   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26