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浏览/检索结果: 共116条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Charge trapping effect in HfO2-based high-k gate dielectric stacks after heavy ion irradiation: The role of oxygen vacancy 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 459, 页码: 143-147 作者:  Li, Zongzhen;  Liu, Tianqi;  Bi, Jinshun;  Yao, Huijun;  Zhang, Zhenxing   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2022/01/19 High-k HfO2  Heavy ion irradiation  Reliability  Charge trapping  Oxygen vacancy   Latent Reliability Degradation of Ultrathin Amorphous HfO2 Dielectric After Heavy Ion Irradiation: The Impact of Nano-Crystallization 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 10, 页码: 1634-1637 作者:  Li, Zongzhen;  Liu, Jie;  Zhai, Pengfei;  Liu, Tianqi;  Bi, Jinshun   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2022/01/19 HfO2  heavy ion irradiation  reliability degradation  crystallization   The total ionizing dose effects of X-ray irradiation on graphene/Si Schottky diodes with a HfO2 insertion layer 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Xu, YN (Xu, Yannan)[ 1,2 ];  Bi, JS (Bi, Jinshun)[ 1,2 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 3 ];  Xi, K (Xi, Kai)[ 1 ];  Fan, LJ (Fan, Linjie)[ 4 ]   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/19 Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文  OAI收割 Chinese physics B, 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Xi K(习凯);  Li B(李博);  Wang HB(王海滨);  Ji LL(季兰龙)   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/12 Impact of γ-ray irradiation on graphene nano-disc non-volatile memory 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Xi K(习凯);  Bi JS(毕津顺);  Hu Y(胡媛);  Li B(李博);  Liu J(刘璟)   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/04/12 A Single Event Upset Tolerant Latch Design 会议论文  OAI收割 作者:  Haibin Wang;  Xixi Dai;  Yangsheng Wang;  Issam Nofal;  Li Cai   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/13 Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics Letters, 2018 作者:  Xu YN(徐彦楠);  Bi JS(毕津顺);  Xu GB(许高博);  Li B(李博);  Xi K(习凯)   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/18 A Single Event Upset Tolerant Latch Design 期刊论文  OAI收割 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Haibin Wang;  Xixi Dai;  Yangsheng Wang;  Issam Nofal;  Li Cai   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/04/12 Total ionizing dose and single event effects of 1 Mb HfO2-based resistive random access memory 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Yuan Duan;  Xi K(习凯);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/12 Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO 2 /Si MOS capacitor by C-V and DLTS 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2018 作者:  Yun Li;  Yao Ma;  Wei Lin;  Peng Dong;  zhimei Yang   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/04/18