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• 西安光学精密机械研... [10]

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• 专利 [10]

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• 2006 [1]
• 2004 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3769872B2, 申请日期: 2006-02-17, 公开日期: 2006-04-26 作者:  森田 悦男;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体叠层衬底及其制造方法和半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN1178303C, 申请日期: 2004-12-01, 公开日期: 2004-12-01 作者:  河合弘治   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 具有解理表面的半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN1104766C, 申请日期: 2003-04-02, 公开日期: 2003-04-02 作者:  森田悦男;  河合弘治   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 化合物半導体素子及びその作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP3257254B2, 申请日期: 2001-12-07, 公开日期: 2002-02-18 作者:  冨岡 聡;  ヤン·ルベレゴ;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 化学気相成長装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999012085A, 申请日期: 1999-01-19, 公开日期: 1999-01-19 作者:  河合 弘治;  榎本 昌久   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体の成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998144612A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29 作者:  河合 弘治;  池田 昌夫;  中村 文彦;  橋本 茂樹;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998022586A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23 作者:  小沢 正文;  中村 文彦;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタ 专利  OAI收割 专利号: JP1998012924A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16 作者:  宮嶋 孝夫;  ヤン ル ベレゴ;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997252163A, 申请日期: 1997-09-22, 公开日期: 1997-09-22 作者:  船戸 健次;  朝妻 庸紀;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997181392A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11 作者:  森田 悦男;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18