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浏览/检索结果: 共32条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体发光元件 专利  OAI收割 专利号: CN101232068A, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30 作者:  橘浩一;  名古肇;  斎藤真司;  布上真也;  波多腰玄一   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3946337B2, 申请日期: 2007-04-20, 公开日期: 2007-07-18 作者:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  布上 真也;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3655066B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02 作者:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  吉田 博昭;  鈴木 真理子   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3517120B2, 申请日期: 2004-01-30, 公开日期: 2004-04-05 作者:  波多腰 玄一;  藤本 英俊;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3464853B2, 申请日期: 2003-08-22, 公开日期: 2003-11-10 作者:  小野村 正明;  西川 幸江;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 多層構造半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP3457468B2, 申请日期: 2003-08-01, 公开日期: 2003-10-20 作者:  ジョン·レニー;  波多腰 玄一;  斎藤 真司   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3434726B2, 申请日期: 2003-05-30, 公开日期: 2003-08-11 作者:  波多腰 玄一;  山本 雅裕   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25 作者:  板谷 和彦;  新田 康一;  波多腰 玄一;  西川 幸江;  菅原 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3237870B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-10 作者:  板谷 和彦;  波多腰 玄一;  新田 康一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18