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微电子研究所 [29]
成都山地灾害与环境研... [1]
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OAI收割 [30]
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形成纳米线阵列的方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06
作者:
洪培真
;
徐秋霞
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收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2019/03/26
半导体器件制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者:
秦长亮
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收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/03/26
半导体器件制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31
作者:
秦长亮
;
徐强
;
洪培真
;
殷华湘
;
尹海洲
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收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/03/26
鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17
作者:
洪培真
;
殷华湘
;
朱慧珑
;
刘青
;
李俊峰
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/03/21
一种自对准接触孔刻蚀工艺方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310438771.4, 申请日期: 2018-06-26, 公开日期: 2015-03-25
作者:
李俊杰
;
李春龙
;
李俊峰
;
王文武
;
洪培真
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2019/03/21
半导体器件制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310173339.7, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-11-12
作者:
秦长亮
;
洪培真
;
尹海洲
;
殷华湘
;
李俊峰
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/03/21
半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210246436.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-01-29
作者:
秦长亮
;
洪培真
;
殷华湘
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收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/03/14
一种硅深孔刻蚀方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者:
赵超
;
李俊杰
;
孟令款
;
李春龙
;
洪培真
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/03/14
堆叠纳米线制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310110074.6, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2014-10-01
作者:
马小龙
;
秦长亮
;
殷华湘
;
洪培真
;
赵超
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/03/14
半导体器件制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210495187.8, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2014-06-11
作者:
殷华湘
;
洪培真
;
秦长亮
;
尹海洲
;
王桂磊
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/04/25
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