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• 西安光学精密机械研... [10]

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• 专利 [10]

发表日期

• 2012 [1]
• 2007 [4]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 激光二极管 专利  OAI收割 专利号: CN1913263B, 申请日期: 2012-12-12, 公开日期: 2012-12-12 作者:  佐藤庆二;  林隆一郎;  及川健二;  浅野竹春   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30 作者:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 激光二极管和激光二极管器件 专利  OAI收割 专利号: CN1933262A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 作者:  仓本大;  浅野竹春   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28 作者:  日野智公;  浅野竹春;  朝妻庸纪;  喜嶋悟;  船户健次   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24 作者:  后藤修;  浅野竹春;  竹谷元伸;  簗克典;  池田真朗   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2000164985A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16 作者:  吉田 浩;  浅野 竹春   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999026868A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  東條 剛;  浅野 竹春   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 II-VI族化合物半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997270564A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14 作者:  浅野 竹春   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 発光素子およびそれを用いたレーザCRT 专利  OAI收割 专利号: JP1995335990A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22 作者:  浅野 竹春;  船戸 健次;  戸田 淳   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000040856A, 公开日期: 2000-02-08 作者:  浅野 竹春;  朝妻 庸紀;  日野 智公;  池田 昌夫   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26