机构

• 西安光学精密机械研... [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 专利 [10]

发表日期

• 2007 [1]
• 2005 [2]
• 1998 [2]
• 1996 [1]
• 1995 [1]
• 1994 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 面発光レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2007311632A, 申请日期: 2007-11-29, 公开日期: 2007-11-29 作者:  清水 均;  影山 健生   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2005142456A, 申请日期: 2005-06-02, 公开日期: 2005-06-02 作者:  清水 均;  カシミルス·セティアグン   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体層の作製方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2005072208A, 申请日期: 2005-03-17, 公开日期: 2005-03-17 作者:  カシミルス·セティアグン;  清水 均   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998150239A, 申请日期: 1998-06-02, 公开日期: 1998-06-02 作者:  岩井 則広   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子および半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998135512A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22 作者:  西片 一昭;  清水 均;  山中 信光   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 AlGaInAs系多重量子井戸を有する半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1996172241A, 申请日期: 1996-07-02, 公开日期: 1996-07-02 作者:  清水 均;  西片 一昭;  福島 徹;  入川 理徳   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1995074431A, 申请日期: 1995-03-17, 公开日期: 1995-03-17 作者:  清水 均;  入川 理徳   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994005981A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14 作者:  平山 祥之;  清水 均;  菅田 純雄   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993343815A, 申请日期: 1993-12-24, 公开日期: 1993-12-24 作者:  菅田 純雄;  平山 祥之;  清水 均   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993218590A, 申请日期: 1993-08-27, 公开日期: 1993-08-27 作者:  平山 祥之;  清水 均;  菅田 純雄   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13