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• 西安光学精密机械研... [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光ピックアップおよびその駆動方法 专利  OAI收割 专利号: JP2005346823A, 申请日期: 2005-12-15, 公开日期: 2005-12-15 作者:  渡辺 昌規   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2005203589A, 申请日期: 2005-07-28, 公开日期: 2005-07-28 作者:  渡辺 昌規   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3672106B2, 申请日期: 2005-04-28, 公开日期: 2005-07-13 作者:  谷 健太郎;  渡辺 昌規;  山本 修   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3382817B2, 申请日期: 2002-12-20, 公开日期: 2003-03-04 作者:  渡辺 昌規;  石田 真也   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2001053374A, 申请日期: 2001-02-23, 公开日期: 2001-02-23 作者:  渡辺 昌規   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000133871A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12 作者:  東出 啓;  渡辺 昌規   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 AlGaAs系半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998335735A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18 作者:  石田 真也;  渡辺 昌規   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 III-V族化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998308551A, 申请日期: 1998-11-17, 公开日期: 1998-11-17 作者:  大久保 伸洋;  厚主 文弘;  渡辺 昌規   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 光波長変換装置 专利  OAI收割 专利号: JP2693842B2, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-12-24 作者:  ▲吉▼田 智彦;  渡辺 昌規;  山本 修   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1995335973A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22 作者:  渡辺 昌規   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18