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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  玉村 好司;  田才 邦彦;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 具有InP衬底的光半导体装置 专利  OAI收割 专利号: CN100514774C, 申请日期: 2009-07-15, 公开日期: 2009-07-15 作者:  岸野克巳;  野村一郎;  玉村好司;  中村均   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 多重量子井戸型半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP4069479B2, 申请日期: 2008-01-25, 公开日期: 2008-04-02 作者:  玉村 好司;  野口 裕泰   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体光发射装置以及一种装置 专利  OAI收割 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 作者:  朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修   |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3817806B2, 申请日期: 2006-06-23, 公开日期: 2006-09-06 作者:  玉村 好司;  河角 孝行;  平田 照二   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法 专利  OAI收割 专利号: TW423092B, 申请日期: 2001-02-21, 公开日期: 2001-02-21 作者:  玉村好司;  本弘範;  長井政春;  池田昌夫   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体発光装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999168257A, 申请日期: 1999-06-22, 公开日期: 1999-06-22 作者:  玉村 好司   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999121872A, 申请日期: 1999-04-30, 公开日期: 1999-04-30 作者:  玉村 好司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999087764A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  玉村 好司   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18