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浏览/检索结果: 共37条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ素子及び製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008311547A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25 作者:  加藤 亮;  山田 篤志;  杉浦 勝己;  石橋 明彦   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3792003B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28 作者:  上村 信行;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  原 義博;  木戸口 勲   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2003046177A, 申请日期: 2003-02-14, 公开日期: 2003-02-14 作者:  矢島 浩義;  山中 圭一郎;  加藤 真;  石橋 明彦   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003037338A, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-02-07 作者:  辻村 歩;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物系半導体素子及び製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2003017790A, 申请日期: 2003-01-17, 公开日期: 2003-01-17 作者:  石橋 明彦;  川口 靖利;  大塚 信之   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03 作者:  石橋 明彦;  萬濃 正也;  大仲 清司;  武石 英見   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 結晶成長方法および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3269344B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-03-25 作者:  石橋 明彦;  伴 雄三郎;  武石 英見   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04 作者:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3206160B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-04 作者:  石橋 明彦;  木戸口 勲;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2001007443A, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-01-12 作者:  長谷川 義晃;  辻村 歩;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/13