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• 西安光学精密机械研... [11]

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• 2009 [3]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光モジュール 专利  OAI收割 专利号: JP2009199037A, 申请日期: 2009-09-03, 公开日期: 2009-09-03 作者:  青柳 昌宏;  仲川 博;  菊地 克弥;  三川 孝;  岡田 義邦   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009176837A, 申请日期: 2009-08-06, 公开日期: 2009-08-06 作者:  福島 正憲;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009081373A, 申请日期: 2009-04-16, 公开日期: 2009-04-16 作者:  左文字 克哉;  山田 篤志;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008235396A, 申请日期: 2008-10-02, 公开日期: 2008-10-02 作者:  石田 昌宏;  古池 進;  上田 大助   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28 作者:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物半導体ウェハの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2002222773A, 申请日期: 2002-08-09, 公开日期: 2002-08-09 作者:  田村 聡之;  小川 雅弘;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14 作者:  石田 昌宏;  油利 正昭;  今藤 修;  中村 真嗣;  折田 賢児   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000049092A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18 作者:  伊藤 国雄;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999330547A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  伊藤 国雄;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998284802A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23 作者:  今藤 修;  油利 正昭;  橋本 忠朗;  石田 昌宏;  杉野 隆   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18