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• 西安光学精密机械研... [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24 作者:  后藤修;  浅野竹春;  竹谷元伸;  簗克典;  池田真朗   |  收藏  |   氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1237578C, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18 作者:  小林俊雅;  簗克典;  山口恭司;  中岛博   |  收藏  |   氮化物半导体生长工艺 专利  OAI收割 专利号: CN1402306A, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2003-03-12 作者:  簗嶋克典;  中岛博   |  收藏  |   半導体装置および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000244070A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08 作者:  橋本 茂樹;  簗嶋 克典;  池田 昌夫   |  收藏  |   窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000082671A, 申请日期: 2000-03-21, 公开日期: 2000-03-21 作者:  船戸 健次;  簗嶋 克典;  橋本 茂樹   |  收藏  |   半導体の成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998144612A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29 作者:  河合 弘治;  池田 昌夫;  中村 文彦   |  收藏  |   p型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998112438A, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28 作者:  簗嶋 克典;  橋本 茂樹;  朝妻 庸紀;  池田 昌夫   |  收藏  |   n型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998112439A, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28 作者:  簗嶋 克典;  朝妻 庸紀;  池田 昌夫   |  收藏  |   窒素系III-V族化合物半導体の成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997309796A, 申请日期: 1997-12-02, 公开日期: 1997-12-02 作者:  簗嶋 克典;  石橋 晃   |  收藏  |   半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997246288A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19 作者:  簗嶋 克典;  石橋 晃   |  收藏  |