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• 西安光学精密机械研... [14]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2011204359A, 申请日期: 2011-10-13, 公开日期: 2011-10-13 作者:  伊藤 秀敏;  秋本 英俊;  仁尾 正昭;  下澤 健治   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3517120B2, 申请日期: 2004-01-30, 公开日期: 2004-04-05 作者:  波多腰 玄一;  藤本 英俊;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000183460A, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-06-30 作者:  櫛部 光弘;  藤本 英俊   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000183466A, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-06-30 作者:  藤本 英俊;  板谷 和彦;  西尾 譲司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999150296A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 作者:  杉浦 理砂;  藤本 英俊   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP2919788B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-19 作者:  新田 康一;  藤本 英俊;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998093192A, 申请日期: 1998-04-10, 公开日期: 1998-04-10 作者:  石川 正行;  山本 雅裕;  布上 真也;  西尾 譲司;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998093198A, 申请日期: 1998-04-10, 公开日期: 1998-04-10 作者:  岡崎 治彦;  藤本 英俊;  石川 正行;  布上 真也;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998065212A, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-03-06 作者:  杉浦 理砂;  藤本 英俊   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31