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• 西安光学精密机械研... [15]

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• 专利 [15]

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• 2002 [2]
• 2001 [1]
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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体用冷却部品の製造方法及び半導体レーザ用冷却部品の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3353053B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03 作者:  一條 太陽;  古澤 孝;  瀧川 宏;  西川 祐司   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体エピタキシャル成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP3325721B2, 申请日期: 2002-07-05, 公开日期: 2002-09-17 作者:  久保 実;  西川 孝司;  佐々井 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 半導體製造方法及其製造裝置 专利  OAI收割 专利号: TW420835B, 申请日期: 2001-02-01, 公开日期: 2001-02-01 作者:  西川 孝司;  佐佐井洋一;  北真;  北畠真   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999163406A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18 作者:  吉井 重雄;  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999112082A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23 作者:  西川 孝司;  宮永 良子;  吉井 重雄;  齋藤 徹;  上山 智   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体の製造方法及びその製造装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999074199A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16 作者:  西川 孝司;  北畠 真;  佐々井 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13 作者:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998209572A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07 作者:  上山 智;  辻村 歩;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998117036A, 申请日期: 1998-05-06, 公开日期: 1998-05-06 作者:  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998112565A, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18