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浏览/检索结果: 共13条,第1-10条 帮助

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窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法 专利  OAI收割
专利号: JP4298023B2, 申请日期: 2009-04-24, 公开日期: 2009-07-15
作者:  
岩谷 素顕;  竹内 哲也;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/24
二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1678772A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05
作者:  
大谷茂树;  木下博之;  松波弘之;  须田淳;  天野浩
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2019/12/31
氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
作者:  
竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/26
氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
作者:  
竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000196146A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
作者:  
山口 栄雄;  赤▲崎▼ 勇;  天野 浩
  |  收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2020/01/18
窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000124552A, 申请日期: 2000-04-28, 公开日期: 2000-04-28
作者:  
竹内 哲也;  金子 和;  山田 範秀;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2995187B1, 申请日期: 1999-10-22, 公开日期: 1999-12-27
作者:  
山口 栄雄;  赤▲崎▼ 勇;  天野 浩
  |  收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2020/01/18
GaN系素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998173227A, 申请日期: 1998-06-26, 公开日期: 1998-06-26
作者:  
小池 正好;  永井 誠二;  赤崎 勇;  天野 浩
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/31
3族窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998163577A, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-06-19
作者:  
小出 典克;  小池 正好;  山崎 史郎;  永井 誠二;  赤崎 勇
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18
GaN系発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998145004A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
作者:  
小池 正好;  永井 誠二;  山崎 史郎;  平松 敏夫;  赤崎 勇
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31