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• 西安光学精密机械研... [13]

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• 专利 [13]

发表日期

• 2016 [1]
• 2005 [1]
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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 发光材料和使用其的有机发光元件、波长变换发光元件、光变换发光元件、有机激光二极管发光元件、色素激光器、显示装置以及照明装置 专利  OAI收割 专利号: CN103154189B, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13 作者:  冈本健;  大江昌人;  藤田悦昌;  近藤克己   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 采用带有光检测部分的面发光半导体激光器的传感器 专利  OAI收割 专利号: CN1197213C, 申请日期: 2005-04-13, 公开日期: 2005-04-13 作者:  森克己;  近藤贵幸;  金子丈夫   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3211459B2, 申请日期: 2001-07-19, 公开日期: 2001-09-25 作者:  森 克己;  近藤 貴幸   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 成膜方法和半导体激光器制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1065046C, 申请日期: 2001-04-25, 公开日期: 2001-04-25 作者:  近藤贵幸   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999046036A, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16 作者:  森 克己;  金子 丈夫;  近藤 貴幸   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998261830A, 申请日期: 1998-09-29, 公开日期: 1998-09-29 作者:  近藤 貴幸;  川瀬 健夫;  森 克己   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997018084A, 申请日期: 1997-01-17, 公开日期: 1997-01-17 作者:  森 克己;  近藤 貴幸;  金子 丈夫   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1996340156A, 申请日期: 1996-12-24, 公开日期: 1996-12-24 作者:  近藤 貴幸;  森 克己;  金子 丈夫   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994291413A, 申请日期: 1994-10-18, 公开日期: 1994-10-18 作者:  森 克己;  近藤 貴幸   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994283818A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07 作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明;  近藤 貴幸   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18