机构

• 上海微系统与信息技... [18]

采集方式

• OAI收割 [18]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 学位论文 [2]
• 成果 [2]
• 专利 [1]

发表日期

• 2001 [3]
• 2000 [5]
• 1999 [7]
• 1998 [3]

学科主题

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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法 成果  OAI收割 鉴定: 无, 2001 林成鲁; 张苗; 王连卫; 黄继颇; 多新中 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2013/04/12 脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 期号: 10 王玉霞; 曹颖; 何海平; 汤洪高; 王连卫; 黄继颇; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/29 用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2001, 期号: 01 刘彦松; 王连卫; 李伟群; 黄继颇; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/29 硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应研究 成果  OAI收割 鉴定: 无, 2000 张苗; 林成鲁; 宋志棠; 多新中; 黄继颇; 陈莉芝; 倪如山 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2013/04/12 SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术 期刊论文  OAI收割 电子元器件应用, 2000, 期号: 05 黄继颇; 多新中; 张苗; 王连卫; 符晓荣; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/29 在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2000, 期号: 06 王玉霞; 温军; 郭震; 汤洪高; 黄继颇; 王连卫; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/29 利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜 期刊论文  OAI收割 压电与声光, 2000, 期号: 05 刘彦松; 王连卫; 黄继颇; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/29 SiC、AlN薄膜的脉冲准分子激光沉积与氧离子注入6H-SiC的物理效应 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2000 黄继颇 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/06 SiC、AiN薄膜的脉冲准分子激光沉积与氧离子注入6H-SiC的物理效应 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所）  , 1999 黄继颇 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/06 SiC  AlN薄膜  物理性质  脉冲激光沉积   以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1227400, 申请日期: 1999-01-01, 公开日期: 1999-09-01 林成鲁; 张苗; 王连卫; 黄继颇; 多新中 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/10