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上海微系统与信息技... [12]
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OAI收割 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2012 [3]
2011 [7]
2009 [1]
2008 [1]
学科主题
Physics [7]
Instrument... [2]
Engineerin... [1]
Instrument... [1]
Instrument... [1]
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The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
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Zhang, ZX(重点实验室)
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Ning, BX
;
Bi, DW(重点实验室)
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Chen, M
;
Zou, SC(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 257-260
Bi, DW(重点实验室)
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Chen, M
;
Wu, AM(重点实验室)
;
Wei, X
;
Wang, X(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Physics
Nuclear Science & Technology
Atomic
Nuclear
Molecular & Chemical
Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M
;
Zhang, Z(重点实验室)X
;
Wei, X
;
Bi, DW(重点实验室)
;
Zou, S(重点实验室)C
;
Wang, X(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Physics
Nuclear Science & Technology
Atomic
Nuclear
Molecular & Chemical
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Shao, H
;
Chen, M
;
Bi, DW
;
Ning, BX
;
Zou, SC(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Analysis of bias effects on the total ionizing dose response in a 180 nm technology
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2011, 卷号: 644, 期号: 1, 页码: 48-54
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, Z(重点实验室)X
;
Shao, H
;
Chen, M
;
Bi, DW
;
Ning, BX
;
Zou, SC(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Nuclear Science & Technology
Particles & Fields
Spectroscopy
Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 1148-1151
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Shao, H
;
Chen, M
;
Bi, DW
;
Ning, BX
;
Zou, SC(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Physics
Electrical & Electronic
Nanoscience & Nanotechnology
Applied
Silicon-on-Insulator-on-Cavity-Structured Micropressure Sensor
期刊论文
OAI收割
SENSORS AND MATERIALS, 2011, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 159-166
Wu, AM
;
Wei, X
;
Yang, ZF
;
Chen, J
;
Chen, M
;
Bi, DW
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Materials Science
Multidisciplinary
Total ionizing dose effect of 0. 18 mu M nMOSFETs
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 116103
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Shao, H
;
Ning, BX
;
Bi, DW(重点实验室)
;
Chen, M
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Zou, SC(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 70701
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX
;
Shao, H
;
Chen, M
;
Bi, DW(重点实验室)
;
Ning, BX
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Zou, SC(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 70701
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Shao, H
;
Ning, BX
;
Bi, DW(重点实验室)
;
Chen, M
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Zou, SC(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary