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Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1989280387A, 申请日期: 1989-11-10, 公开日期: 1989-11-10
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  EBE KOJI
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989147885A, 申请日期: 1989-06-09, 公开日期: 1989-06-09
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  EBE KOJI;  SHINOHARA KOJI
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13
Vapor phase epitaxial growth method 专利  OAI收割
专利号: JP1988047940A, 申请日期: 1988-02-29, 公开日期: 1988-02-29
作者:  EBE KOJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  SHINOHARA KOJI
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
Manufacture of two-dimensional multiple quantum well structure 专利  OAI收割
专利号: JP1988029989A, 申请日期: 1988-02-08, 公开日期: 1988-02-08
作者:  EBE KOJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  FUKUDA HIROKAZU;  SHINOHARA KOJI
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31
Infrared semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1987296592A, 申请日期: 1987-12-23, 公开日期: 1987-12-23
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  EBE KOJI
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31
Compound semiconductor element 专利  OAI收割
专利号: JP1987291193A, 申请日期: 1987-12-17, 公开日期: 1987-12-17
作者:  EBE KOJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  SHINOHARA KOJI
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1987144387A, 申请日期: 1987-06-27, 公开日期: 1987-06-27
作者:  EBE KOJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  SHINOHARA KOJI
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Manufacture of pbsnte laser 专利  OAI收割
专利号: JP1987030392A, 申请日期: 1987-02-09, 公开日期: 1987-02-09
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  EBE KOJI;  FUKUDA HIROKAZU;  SHINOHARA KOJI
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986156787A, 申请日期: 1986-07-16, 公开日期: 1986-07-16
作者:  SHINOHARA KOJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  FUKUDA HIROKAZU;  EBE KOJI
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Optical semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1986127189A, 申请日期: 1986-06-14, 公开日期: 1986-06-14
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  SHINOHARA KOJI;  FUKUDA HIROKAZU;  EBE KOJI
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