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Method of manufacturing semiconductor devices separated from a wafer 专利  OAI收割
专利号: US6316280, 申请日期: 2001-11-13, 公开日期: 2001-11-13
作者:  FUJIWARA, MASATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser including periodic structures with different periods for producing a single wavelength of light 专利  OAI收割
专利号: US5386433, 申请日期: 1995-01-31, 公开日期: 1995-01-31
作者:  OHKURA, YUJI;  FUJIWARA, MASATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26
Manufacture of ppibh-ld 专利  OAI收割
专利号: JP1992206792A, 申请日期: 1992-07-28, 公开日期: 1992-07-28
作者:  FUJIWARA MASATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
Manufacture of lambda/4 shift diffraction grating 专利  OAI收割
专利号: JP1992003485A, 申请日期: 1992-01-08, 公开日期: 1992-01-08
作者:  FUJIWARA MASATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device and modulation method thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1991101182A, 申请日期: 1991-04-25, 公开日期: 1991-04-25
作者:  WATANABE HITOSHI;  FUJIWARA MASATOSHI;  NAKAJIMA YASUO;  SAKAKIBARA YASUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1990298091A, 申请日期: 1990-12-10, 公开日期: 1990-12-10
作者:  WATANABE HITOSHI;  FUJIWARA MASATOSHI;  TAKEMOTO AKIRA;  KAKIMOTO SHOICHI
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1990281681A, 申请日期: 1990-11-19, 公开日期: 1990-11-19
作者:  WATANABE HITOSHI;  FUJIWARA MASATOSHI;  TAKEMOTO AKIRA;  KAKIMOTO SHOICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1990114582A, 申请日期: 1990-04-26, 公开日期: 1990-04-26
作者:  FUJIWARA MASATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of distributed feedback semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1990065192A, 申请日期: 1990-03-05, 公开日期: 1990-03-05
作者:  FUJIWARA MASATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989236677A, 申请日期: 1989-09-21, 公开日期: 1989-09-21
作者:  KAKIMOTO SHOICHI;  FUJIWARA MASATOSHI;  TAKAHASHI SHOGO
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18