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机构
西安光学精密机械研... [35]
采集方式
OAI收割 [35]
内容类型
专利 [35]
发表日期
1989 [4]
1988 [5]
1987 [11]
1986 [2]
1985 [3]
1984 [3]
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Semiconductor laser and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1989319981A, 申请日期: 1989-12-26, 公开日期: 1989-12-26
作者:
FUKUZAWA TADASHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser having quantum well active region doped with impurities
专利
OAI收割
专利号: US4881238, 申请日期: 1989-11-14, 公开日期: 1989-11-14
作者:
CHINONE, NAOKI
;
UOMI, KAZUHISA
;
FUKUZAWA, TADASHI
;
MATSUEDA, HIDEAKI
;
KAJIMURA, TAKASHI
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser having a multiple quantum well structure doped with impurities
专利
OAI收割
专利号: US4881235, 申请日期: 1989-11-14, 公开日期: 1989-11-14
作者:
CHINONE, NAOKI
;
UOMI, KAZUHISA
;
FUKUZAWA, TADASHI
;
MATSUEDA, HIDEAKI
;
KAJIMURA, TAKASHI
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提交时间:2019/12/24
Manufacture of semiconductor structure
专利
OAI收割
专利号: JP1989232715A, 申请日期: 1989-09-18, 公开日期: 1989-09-18
作者:
FUKUZAWA TADASHI
;
ITO KAZUHIRO
;
NAKAMURA HITOSHI
;
MATSUDA HIROSHI
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提交时间:2020/01/18
Fabrication process of semiconductor lasers
专利
OAI收割
专利号: US4783425, 申请日期: 1988-11-08, 公开日期: 1988-11-08
作者:
FUKUZAWA, TADASHI
;
ONO, YUICHI
;
NAKATSUKA, SHINICHI
;
KAJIMURA, TAKASHI
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提交时间:2019/12/24
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专利
OAI收割
专利号: JP1988047355B2, 申请日期: 1988-09-21, 公开日期: 1988-09-21
作者:
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor fine structure
专利
OAI收割
专利号: JP1988155713A, 申请日期: 1988-06-28, 公开日期: 1988-06-28
作者:
FUKUZAWA TADASHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1988124591A, 申请日期: 1988-05-28, 公开日期: 1988-05-28
作者:
FUKUZAWA TADASHI
;
MATSUMURA HIROYOSHI
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提交时间:2020/01/18
Optical semiconductor integrated device
专利
OAI收割
专利号: JP1988064384A, 申请日期: 1988-03-22, 公开日期: 1988-03-22
作者:
MATSUEDA HIDEAKI
;
FUKUZAWA TADASHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: EP0177221A3, 申请日期: 1987-09-30, 公开日期: 1987-09-30
作者:
FUKUZAWA, TADASHI
;
MATSUMURA, HIROYOSHI
;
TSUJI, SHINJI
;
NAKAMURA, HITOSHI
;
HIRUMA, KENJI
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提交时间:2020/01/18