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• 西安光学精密机械研究... [8]
• 过程工程研究所 [1]
• 紫金山天文台 [1]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 专利 [8]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2020 [1]
• 2019 [1]
• 2001 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Room-temperature extraction of direct coal liquefaction residue by liquefied dimethyl ether 期刊论文  OAI收割 FUEL, 2020, 卷号: 262, 页码: 8 作者:  Zheng, Qingxin;  Zhang, Yelin;  Wahyudiono;  Fouquet, Thierry;  Zeng, Xi   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/03/24 Direct coal liquefaction residue  Extraction  Room temperature  Liquefied dimethyl ether  Polycyclic aromatic hydrocarbons  Molecular composition   SILVERRUSH. VIII. Spectroscopic Identifications of Early Large-scale Structures with Protoclusters over 200 Mpc at z similar to 6-7: Strong Associations of Dusty Star-forming Galaxies 期刊论文  OAI收割 ASTROPHYSICAL JOURNAL, 2019, 卷号: 883, 期号: 2, 页码: 16 作者:  Harikane, Yuichi;  Ouchi, Masami;  Ono, Yoshiaki;  Fujimoto, Seiji;  Donevski, Darko   |  收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2020/03/19 galaxies: evolution  galaxies: formation  galaxies: high-redshift   Semiconductor laser diode 专利  OAI收割 专利号: US6172998, 申请日期: 2001-01-09, 公开日期: 2001-01-09 作者:  HORIE, HIDEYOSHI;  FUJIMORI, TOSHINARI;  NAGAO, SATORU;  GOTO, HIDEKI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: US6023483, 申请日期: 2000-02-08, 公开日期: 2000-02-08 作者:  SHIMOYAMA, KENJI;  FUJII, KATSUSHI;  NAGAO, SATORU;  GOTO, HIDEKI   |  收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2020/01/18 III-V compound semiconductor with high crystal quality and luminous efficiency 专利  OAI收割 专利号: US5606180, 申请日期: 1997-02-25, 公开日期: 1997-02-25 作者:  HOSOI, NOBUYUKI;  SHIMOYAMA, KENJI;  GOTO, HIDEKI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode 专利  OAI收割 专利号: US5566198, 申请日期: 1996-10-15, 公开日期: 1996-10-15 作者:  HORIE, HIDEYOSHI;  FUJIMORI, TOSHINARI;  NAGAO, SATORU;  HOSOI, NOBUYUKI;  GOTO, HIDEKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser diode 专利  OAI收割 专利号: EP0661784A3, 申请日期: 1995-12-27, 公开日期: 1995-12-27 作者:  HORIE, HIDEYOSHI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP.;  INOUE, YUICHI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13 Method of manufacturing a group II-VI compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: GB2280309A, 申请日期: 1995-01-25, 公开日期: 1995-01-25 作者:  KENJI, SHIMOYAMA;  TOSHINARI, FUJIMORI;  HIDEKI, GOTO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: EP0590951A2, 申请日期: 1994-04-06, 公开日期: 1994-04-06 作者:  INOU, YUICHI;  SHIMOYAMA, KENJI;  SAKAMOTO, ITARU;  GOTO, HIDEKI   |  收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device with a plurality of active layers 专利  OAI收割 专利号: JP1990144983A, 申请日期: 1990-06-04, 公开日期: 1990-06-04 作者:  SUZUKI KATSUHIRO;  YAJIMA HIROYOSHI;  SHIMADA JUNICHI;  SHIMOYAMA KENJI;  GOTO HIDEKI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31