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机构
西安光学精密机械研... [19]
采集方式
OAI收割 [19]
内容类型
专利 [19]
发表日期
1993 [1]
1992 [2]
1989 [3]
1988 [3]
1986 [4]
1985 [1]
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专利
OAI收割
专利号: JP1993009951B2, 申请日期: 1993-02-08, 公开日期: 1993-02-08
作者:
HIGUCHI HIDEYO
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
OOMURA ETSUJI
;
IKEDA KENJI
;
SAKAKIBARA YASUSHI
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提交时间:2020/01/18
A semiconductor laser device and production method thereof
专利
OAI收割
专利号: GB2221093B, 申请日期: 1992-02-05, 公开日期: 1992-02-05
作者:
HITOSHI, MIZUOCHI
;
HIDEYO, HIGUCHI
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提交时间:2019/12/24
-
专利
OAI收割
专利号: JP1992006114B2, 申请日期: 1992-02-04, 公开日期: 1992-02-04
作者:
FUKUDA MITSUO
;
HIGUCHI HIDEYO
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
SUZAKI WATARU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989238086A, 申请日期: 1989-09-22, 公开日期: 1989-09-22
作者:
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989129487A, 申请日期: 1989-05-22, 公开日期: 1989-05-22
作者:
YAMAMOTO YOUSUKE
;
HIGUCHI HIDEYO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1989099266A, 申请日期: 1989-04-18, 公开日期: 1989-04-18
作者:
NANBARA SEIJI
;
HIGUCHI HIDEYO
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提交时间:2020/01/13
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专利
OAI收割
专利号: JP1988049919B2, 申请日期: 1988-10-06, 公开日期: 1988-10-06
作者:
NAMISAKI HIROBUMI
;
HIRANO RYOICHI
;
HIGUCHI HIDEYO
;
OOMURA ETSUJI
;
SAKAKIBARA YASUSHI
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提交时间:2020/01/13
Edge emission type semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1988202977A, 申请日期: 1988-08-22, 公开日期: 1988-08-22
作者:
MIZUOCHI HITOSHI
;
YAMAMOTO AKISUKE
;
YOSHIDA KAZUTOMI
;
HIGUCHI HIDEYO
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提交时间:2020/01/18
Surface emission type semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988095690A, 申请日期: 1988-04-26, 公开日期: 1988-04-26
作者:
TAKAMIYA SABURO
;
HIGUCHI HIDEYO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986270884A, 申请日期: 1986-12-01, 公开日期: 1986-12-01
作者:
GOTO KATSUHIKO
;
SAKAKIBARA YASUSHI
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
HIGUCHI HIDEYO
;
OMURA ETSUJI
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提交时间:2020/01/18