中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: US5866918, 申请日期: 1999-02-02, 公开日期: 1999-02-02
作者:  YAMAMOTO, YOUSUKE;  HIRONAKA, MISAO
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US5568502, 申请日期: 1996-10-22, 公开日期: 1996-10-22
作者:  HIRONAKA, MISAO
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung. 专利  OAI收割
专利号: DE3789713D1, 申请日期: 1994-06-01, 公开日期: 1994-06-01
作者:  YAGI TETSUYA C/O MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI K. ITAMI-SHI HYOGO-KEN;  HIRONAKA MISAO KOYA HIRATA KYODO JUTAKA NO.
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1992261082A, 申请日期: 1992-09-17, 公开日期: 1992-09-17
作者:  HIRONAKA MISAO
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1991049289A, 申请日期: 1991-03-04, 公开日期: 1991-03-04
作者:  HIRONAKA MISAO
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1990239678A, 申请日期: 1990-09-21, 公开日期: 1990-09-21
作者:  YAGI TETSUYA;  HIRONAKA MISAO;  YOSHIDA KAZUTOMI
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1990202085A, 申请日期: 1990-08-10, 公开日期: 1990-08-10
作者:  YAMASHITA KOJI;  OKADA MASATO;  HIRONAKA MISAO
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989304793A, 申请日期: 1989-12-08, 公开日期: 1989-12-08
作者:  HIRONAKA MISAO;  KIMURA HIDE;  YAMASHITA KOJI
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1989217990A, 申请日期: 1989-08-31, 公开日期: 1989-08-31
作者:  HIRONAKA MISAO;  KIMURA HIDE
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989161793A, 申请日期: 1989-06-26, 公开日期: 1989-06-26
作者:  HIRONAKA MISAO
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18