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机构
西安光学精密机械研... [10]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
专利 [10]
发表日期
1985 [1]
1984 [3]
1983 [3]
1982 [2]
1977 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
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Formation of protection film for end surface of semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985042888A, 申请日期: 1985-03-07, 公开日期: 1985-03-07
作者:
IIDA SEIJI
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提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1984210683A, 申请日期: 1984-11-29, 公开日期: 1984-11-29
作者:
MATSUMOTO KENJI
;
KURIHARA HARUKI
;
IIDA SEIJI
;
MOGI NAOTO
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提交时间:2020/01/18
Formation of protection film for semiconductor laser device end surface
专利
OAI收割
专利号: JP1984110185A, 申请日期: 1984-06-26, 公开日期: 1984-06-26
作者:
TAMURA HIDEO
;
IIDA SEIJI
;
YAMAMOTO KATSUYOSHI
;
KURIHARA HARUKI
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提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1984000983A, 申请日期: 1984-01-06, 公开日期: 1984-01-06
作者:
IIDA SEIJI
;
KURIHARA HARUKI
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提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1983191484A, 申请日期: 1983-11-08, 公开日期: 1983-11-08
作者:
SAGARA MINORU
;
TAMURA HIDEO
;
IIDA SEIJI
;
KURIHARA HARUKI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1983191485A, 申请日期: 1983-11-08, 公开日期: 1983-11-08
作者:
TAMURA HIDEO
;
SAGARA MINORU
;
IIDA SEIJI
;
KURIHARA HARUKI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1983151085A, 申请日期: 1983-09-08, 公开日期: 1983-09-08
作者:
SAGARA MINORU
;
TAMURA HIDEO
;
IIDA SEIJI
;
KURIHARA HARUKI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of hetero embedded semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1982199285A, 申请日期: 1982-12-07, 公开日期: 1982-12-07
作者:
KURIHARA HARUKI
;
IIDA SEIJI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1982199286A, 申请日期: 1982-12-07, 公开日期: 1982-12-07
作者:
IIDA SEIJI
;
MOGI NAOTO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1977099793A, 申请日期: 1977-08-22, 公开日期: 1977-08-22
作者:
IIDA SEIJI
;
YAMAMOTO MOTOYUKI
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提交时间:2020/01/13