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机构
西安光学精密机械研... [22]
采集方式
OAI收割 [22]
内容类型
专利 [22]
发表日期
1990 [1]
1989 [2]
1988 [3]
1987 [3]
1986 [2]
1984 [3]
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Semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1990192785A, 申请日期: 1990-07-30, 公开日期: 1990-07-30
作者:
IMAI HAJIME
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提交时间:2020/01/18
-
专利
OAI收割
专利号: JP1989059752B2, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:
IMAI HAJIME
;
KUSUKI TOSHIHIRO
;
ISHIKAWA HIROSHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting device and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1989228188A, 申请日期: 1989-09-12, 公开日期: 1989-09-12
作者:
IMAI HAJIME
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提交时间:2020/01/13
Inspection of diffraction grating
专利
OAI收割
专利号: JP1988163138A, 申请日期: 1988-07-06, 公开日期: 1988-07-06
作者:
IMAI HAJIME
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提交时间:2019/12/31
-
专利
OAI收割
专利号: JP1988022478B2, 申请日期: 1988-05-12, 公开日期: 1988-05-12
作者:
ISHIKAWA HIROSHI
;
TAKAGI NOBUYUKI
;
IMAI HAJIME
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1988077183A, 申请日期: 1988-04-07, 公开日期: 1988-04-07
作者:
IMAI HAJIME
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1987130580A, 申请日期: 1987-06-12, 公开日期: 1987-06-12
作者:
IMAI HAJIME
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1987120095A, 申请日期: 1987-06-01, 公开日期: 1987-06-01
作者:
IMAI HAJIME
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提交时间:2020/01/13
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专利
OAI收割
专利号: JP1987006677B2, 申请日期: 1987-02-12, 公开日期: 1987-02-12
作者:
IMAI HAJIME
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1986292389A, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者:
IMAI HAJIME
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提交时间:2020/01/13