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机构
西安光学精密机械研... [11]
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OAI收割 [11]
内容类型
专利 [11]
发表日期
2004 [1]
2002 [1]
1998 [1]
1996 [1]
1994 [1]
1992 [2]
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Semiconductor laser device and production method thereof, and method of connection between semiconductor laser device and optical waveguide
专利
OAI收割
专利号: WO2004093273A1, 申请日期: 2004-10-28, 公开日期: 2004-10-28
作者:
IWASE, MASAYUKI
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提交时间:2019/12/31
Laser diode module and mounting board
专利
OAI收割
专利号: US20020048295A1, 申请日期: 2002-04-25, 公开日期: 2002-04-25
作者:
KATO, TOMOYA
;
SHIMIZU, TAKEO
;
IWASE, MASAYUKI
;
MURATA, HIDEAKI
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提交时间:2019/12/30
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0493125B1, 申请日期: 1998-05-27, 公开日期: 1998-05-27
作者:
IRIKAWA, MICHINORI, THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD
;
IWASE, MASAYUKI, THE FURUKAWA ELECTRIC CO. LTD.,
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提交时间:2020/01/18
A quantum barrier semiconductor optical device
专利
OAI收割
专利号: EP0485237B1, 申请日期: 1996-03-13, 公开日期: 1996-03-13
作者:
IRIKAWA, MICHINORI, FURUKAWA ELEC. CO. LTD.
;
IWASE, MASAYUKI, FURUKAWA ELEC. CO. LTD.
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor double heterostructure laser device with InP current blocking layer
专利
OAI收割
专利号: US5319661, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07
作者:
IRIKAWA, MICHINORI
;
IWASE, MASAYUKI
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提交时间:2019/12/24
Single-wavelength quantum well semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1992206789A, 申请日期: 1992-07-28, 公开日期: 1992-07-28
作者:
YUKITANI TAKESHI
;
KASUKAWA AKIHIKO
;
MATSUMOTO SHIGETO
;
IWASE MASAYUKI
;
OKAMOTO HIROSHI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1992139782A, 申请日期: 1992-05-13, 公开日期: 1992-05-13
作者:
IWASE MASAYUKI
;
IRIKAWA MASANORI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1989283892A, 申请日期: 1989-11-15, 公开日期: 1989-11-15
作者:
MAKINO TOSHIHIKO
;
IAN MAAGATSUTOROIDO
;
IWASE MASAYUKI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of buried type semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989094690A, 申请日期: 1989-04-13, 公开日期: 1989-04-13
作者:
KASUKAWA AKIHIKO
;
IWASE MASAYUKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor light emitting devices
专利
OAI收割
专利号: JP1988216396A, 申请日期: 1988-09-08, 公开日期: 1988-09-08
作者:
KASUKAWA AKIHIKO
;
IWASE MASAYUKI
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提交时间:2020/01/13