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机构
西安光学精密机械研... [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
1997 [1]
1996 [1]
1994 [1]
1992 [3]
1991 [1]
1990 [1]
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Vielfachhalbleiterlaser
专利
OAI收割
专利号: DE69312836D1, 申请日期: 1997-09-11, 公开日期: 1997-09-11
作者:
SHIGIHARA KIMIO C/O MITSUBISHI DENKI K. K. ITAMI-SHI HOGO 664 JP
;
WATANABE HITOSHI C/O MITSUBISHI DENKI K. K. ITAMI-SHI HOGO 664 JP
;
KADOWAKI TOMOKO C/O MITSUBISHI DENKI K. K. ITAMI-SHI HOGO 664 JP
;
NISHIGUCHI HARUMI C/O MITSUBISHI DENKI K. K. ITAMI-SHI HOGO 664 JP
;
ISSHIKI KUNIHIKO C/O MITSUBISHI DENKI K. K ITAMI-SHI HOGO 664 JP
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提交时间:2019/12/31
Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleiterlaservorrichtung
专利
OAI收割
专利号: DE19531052A1, 申请日期: 1996-02-29, 公开日期: 1996-02-29
作者:
KADOWAKI TOMOKO
;
TAKEMOTO AKIRA
;
TANIGAMI YORIKO
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer
专利
OAI收割
专利号: US5357535, 申请日期: 1994-10-18, 公开日期: 1994-10-18
作者:
SHIMA, AKIHIRO
;
MIURA, TAKESHI
;
KADOWAKI, TOMOKO
;
HAYAFUJI, NORIO
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US5146467, 申请日期: 1992-09-08, 公开日期: 1992-09-08
作者:
KADOWAKI, TOMOKO
;
MURAKAMI, TAKASHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1992219989A, 申请日期: 1992-08-11, 公开日期: 1992-08-11
作者:
KADOWAKI TOMOKO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1992042591A, 申请日期: 1992-02-13, 公开日期: 1992-02-13
作者:
KADOWAKI TOMOKO
;
IKUWA YOSHITO
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1991101285A, 申请日期: 1991-04-26, 公开日期: 1991-04-26
作者:
KADOWAKI TOMOKO
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提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1990045986A, 申请日期: 1990-02-15, 公开日期: 1990-02-15
作者:
KADOWAKI TOMOKO
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semioconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989318276A, 申请日期: 1989-12-22, 公开日期: 1989-12-22
作者:
KADOWAKI TOMOKO
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1989187988A, 申请日期: 1989-07-27, 公开日期: 1989-07-27
作者:
KADOWAKI TOMOKO
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提交时间:2020/01/13