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- 专利  OAI收割
专利号: JP1992022033B2, 申请日期: 1992-04-15, 公开日期: 1992-04-15
作者:  KURODA TAKARO;  KAJIMURA TAKASHI;  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAYANE NAOKI;  OOCHI HIROBUMI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986171185A, 申请日期: 1986-08-01, 公开日期: 1986-08-01
作者:  ONO YUICHI;  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAJIMURA TAKASHI;  KAYANE NAOKI;  NAKATSUKA SHINICHI
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986114587A, 申请日期: 1986-06-02, 公开日期: 1986-06-02
作者:  ONO YUICHI;  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAYANE NAOKI;  KAJIMURA TAKASHI;  KONO TOSHIHIRO
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Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1986091987A, 申请日期: 1986-05-10, 公开日期: 1986-05-10
作者:  KAYANE NAOKI;  KONO TOSHIHIRO;  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAJIMURA TAKASHI
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1985227490A, 申请日期: 1985-11-12, 公开日期: 1985-11-12
作者:  KURODA TAKAROU;  KAJIMURA TAKASHI;  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAYANE NAOKI;  AIKI KUNIO
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1985227489A, 申请日期: 1985-11-12, 公开日期: 1985-11-12
作者:  KURODA TAKAROU;  KAJIMURA TAKASHI;  KAYANE NAOKI;  KASHIWADA YASUTOSHI;  AIKI KUNIO
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Semiconductor substrate 专利  OAI收割
专利号: JP1985134415A, 申请日期: 1985-07-17, 公开日期: 1985-07-17
作者:  KASHIWADA YASUTOSHI;  ONO YUUICHI;  KAYANE NAOKI;  KAJIMURA TAKASHI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1985132379A, 申请日期: 1985-07-15, 公开日期: 1985-07-15
作者:  FUJISAKI YOSHIHISA;  TSUJI SHINJI;  KAYANE NAOKI;  KAJIMURA TAKASHI;  KASHIWADA YASUTOSHI
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Distributed feedback type semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1985132380A, 申请日期: 1985-07-15, 公开日期: 1985-07-15
作者:  KAYANE NAOKI;  TSUJI SHINJI;  OOISHI AKIO;  KASHIWADA YASUTOSHI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1985128689A, 申请日期: 1985-07-09, 公开日期: 1985-07-09
作者:  KAJIMURA TAKASHI;  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAYANE NAOKI;  ONO YUUICHI;  NAKATSUKA SHINICHI
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