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Halbleiteranordnung hergestellt mittels einer epitaxialen Technik und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung 专利  OAI收割
专利号: DE69029453D1, 申请日期: 1997-01-30, 公开日期: 1997-01-30
作者:  
KINOSHITA HIDEAKI C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV. MINATO-KU TOKYO 105 JP
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/18
- 专利  OAI收割
专利号: JP1993072118B2, 申请日期: 1993-10-08, 公开日期: 1993-10-08
作者:  
KINOSHITA HIDEAKI;  YUGE SHOZO
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser of visible ray region having window structure 专利  OAI收割
专利号: US5119387, 申请日期: 1992-06-02, 公开日期: 1992-06-02
作者:  
KINOSHITA, HIDEAKI
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/26
Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1987245689A, 申请日期: 1987-10-26, 公开日期: 1987-10-26
作者:  
KINOSHITA HIDEAKI;  MATSUURA NOBUYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1987046583A, 申请日期: 1987-02-28, 公开日期: 1987-02-28
作者:  
HATAGOSHI GENICHI;  NAGASAKA HIROKO;  SHIMADA NAOHIRO;  YAMAMOTO MOTOYUKI;  OKAJIMA MASASUE
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1986220393A, 申请日期: 1986-09-30, 公开日期: 1986-09-30
作者:  
KINOSHITA HIDEAKI
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor light emitting element 专利  OAI收割
专利号: JP1986220490A, 申请日期: 1986-09-30, 公开日期: 1986-09-30
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载:49/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor light-emitting element 专利  OAI收割
专利号: JP1986147583A, 申请日期: 1986-07-05, 公开日期: 1986-07-05
作者:  
KINOSHITA HIDEAKI
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
Manufacture of compound semiconductor substrate 专利  OAI收割
专利号: JP1986019120A, 申请日期: 1986-01-28, 公开日期: 1986-01-28
作者:  
KINOSHITA HIDEAKI
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31