中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
Optical integrated circuit 专利  OAI收割
专利号: JP1991292777A, 申请日期: 1991-12-24, 公开日期: 1991-12-24
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18
High-resistance semiconductor layer buried type semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1990206192A, 申请日期: 1990-08-15, 公开日期: 1990-08-15
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31
Embedded structure semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1990188983A, 申请日期: 1990-07-25, 公开日期: 1990-07-25
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO;  SUGAO SHIGEO;  KURODA NAOTAKA
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
Buried structure semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989313982A, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989262687A, 申请日期: 1989-10-19, 公开日期: 1989-10-19
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：123/0  |  提交时间：2020/01/18
Buried structure semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1989226190A, 申请日期: 1989-09-08, 公开日期: 1989-09-08
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989218084A, 申请日期: 1989-08-31, 公开日期: 1989-08-31
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989218083A, 申请日期: 1989-08-31, 公开日期: 1989-08-31
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor light emitting element of buried hetero structure 专利  OAI收割
专利号: JP1989202889A, 申请日期: 1989-08-15, 公开日期: 1989-08-15
作者:  MATSUMOTO TAKU;  KOIZUMI YOSHIHIRO;  KURODA NAOTAKA
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989189984A, 申请日期: 1989-07-31, 公开日期: 1989-07-31
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18