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Semiconductor device with strained-layer superlattice 专利  OAI收割
专利号: US5306924, 申请日期: 1994-04-26, 公开日期: 1994-04-26
作者:  USAMI, MASASHI;  MATSUSHIMA, YUICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
Infrared emitting device with dislocation free layer 专利  OAI收割
专利号: US4918496, 申请日期: 1990-04-17, 公开日期: 1990-04-17
作者:  MATSUSHIMA, YUICHI;  SAKAI, KAZUO;  AKIBA, SHIGEYUKI;  UTAKA, KATSUYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26
Distributed feedback type semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989248585A, 申请日期: 1989-10-04, 公开日期: 1989-10-04
作者:  UKO KATSUYUKI;  MATSUSHIMA YUICHI;  SAKAI KAZUO
  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser having quantum well structure 专利  OAI收割
专利号: JP1989205586A, 申请日期: 1989-08-17, 公开日期: 1989-08-17
作者:  MATSUSHIMA YUICHI;  UKO KATSUYUKI;  SAKAI KAZUO
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: EP0314490A3, 申请日期: 1989-07-26, 公开日期: 1989-07-26
作者:  UTAKA, KATSUYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989024482A, 申请日期: 1989-01-26, 公开日期: 1989-01-26
作者:  UKO KATSUYUKI;  SAKAI KAZUO;  MATSUSHIMA YUICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
Optical semiconductor element 专利  OAI收割
专利号: JP1989011391A, 申请日期: 1989-01-13, 公开日期: 1989-01-13
作者:  USAMI MASASHI;  AKIBA SHIGEYUKI;  UKO KATSUYUKI;  MATSUSHIMA YUICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser of long resonator length 专利  OAI收割
专利号: JP1989009679A, 申请日期: 1989-01-12, 公开日期: 1989-01-12
作者:  SAKAI KAZUO;  MATSUSHIMA YUICHI;  UKO KATSUYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988299291A, 申请日期: 1988-12-06, 公开日期: 1988-12-06
作者:  UKO KATSUYUKI;  SAKAI KAZUO;  MATSUSHIMA YUICHI;  AKIBA SHIGEYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1987291985A, 申请日期: 1987-12-18, 公开日期: 1987-12-18
作者:  AKIBA SHIGEYUKI;  MATSUSHIMA YUICHI;  USAMI MASASHI
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18